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南亚科瑞晶40纳米6月导入全面反制三星大扩产计画

发布时间:2020-07-21 18:13:38 阅读: 来源:提升机厂家

继三星电子(Samsung Electronics)宣布大手笔资本支出,台系DRAM厂亦不甘示弱,台塑集团旗下南亚科和尔必达(Elpida)集团旗下瑞晶都决定提前于6月导入 42及45纳米制程,较原订计画提前整整1季。南亚科发言人白培霖表示,40纳米世代技术对半导体业者是很大挑战,但对于美光(Micron)与南亚科而言,42纳米是50纳米制程延伸技术,只要跨过50纳米,快速衔接42纳米制程并不难。

本文引用地址:面对三星来势汹汹,半导体事业资本支出高达80 亿~90亿美元,台系DRAM厂因应之道就是加速制程微缩脚步,台系DRAM厂现在都卯足劲加速制程转换,提前新一代制程导入时间点。南亚科和瑞晶不约而同将旗下40纳米制程世代,提前于6月导入,相较于原本计画提前整整1季。存储器业者表示,一方面是因为ASML浸润式微影设备(Immersion Scanner)陆续交货,另一方面则是受到三星的刺激,决定要加快新制程速度,免得未来在技术和成本竞争力与三星越拉越大。

南亚科指出,目前12寸晶圆厂3万片产能中,50与68纳米制程各占50%,预计第3季全数转进50纳米,而原本第3季才投片试产的42纳米制程,将提前于6月投片,预计42纳米制程成本结构可较50纳米下降 30%,相当具有竞争力。至于同集团的华亚科42纳米制程进度亦是同步提前,原本计划第4季导入,目前预计9月开始试产。

瑞晶亦决定提前在6月导入尔必达45纳米制程,事实上,瑞晶早就希望在第2季导入45纳米制程,但因ASML浸润式微影设备一直延宕交货,使得瑞晶被迫延后,原本以为要等到第3季,如今确定6月开始导入,预计可赶上第3季底逐渐量产。瑞晶目前主流投片制程为63纳米,预计7月旗下8万片12寸晶圆厂产能可全数转进63纳米,同时亦全力提升45纳米制程良率。

白培霖认为,40纳米制程世代对于所有半导体厂包括DRAM厂、晶圆代工厂,都是很大挑战,要从 60或70纳米直接跳到40纳米制程,技术门槛很高,但南亚科和美光状况不一样,美光42纳米几乎是50纳米微缩延伸版本,美光、南亚科和华亚科都花很多时间转进50纳米,未来在导入42纳米时,技术难度就不会这么高。

瑞晶和力晶目前大量导入63纳米制程,优点是投入极少资本支出,但获得成本效益并不输美光阵营50纳米制程技术,但缺点是采用63纳米制程无法生产2Gb容量芯片,虽然可以用2颗1Gb芯片来堆叠出货,但在封装成本效益及省电上,1Gb芯片还是无法与2Gb芯片相比。

由于三星宣布将投入高达80亿~90亿美元资本支出在半导体事业上,其中一半资金用在升级现有DRAM厂机器设备和制程技术,显见三星对于其46纳米、甚至下一代30纳米制程相当有信心,因此,DRAM市场在2010年下半会面临三星产能大幅增加的严峻考验。南亚科认为,这一波DRAM产业荣景可持续到2011年底或2012年上半,除观察各厂新产能开出时间点,还要看企业换机需求能维持多久。

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